偏压对低气压等离子体增强化学气相沉积tio2 薄膜的结构和性能的影响＊ | 量子荧光|微型光纤光谱仪-ag贵宾会

前途的绿色环保型催化剂已成为研究的热点, 但是tio2 薄膜的这些功能都以获得锐钛矿晶型为前提.无定型tio2 薄膜由于其耐化学腐蚀性?光散射特性?电绝缘特性等, 在化学?生物?光学?电学等方面都显示出很好的应用前景[1,2].关于在低温等离子体条件下沉积无定型tio2 薄膜的研究已经有较多的报道[3-6] , 但是关于脉冲偏压对低温等离子体沉积tio2 薄膜的研究较少[7,8],特别是对于射频等离子体的偏压的研究更少, 大多数的研究者往往以射频输入电极上产生的自偏压来代替绝缘基片薄膜沉积一侧的偏压, 而实际上两者是存在差别的[9,10] .本文在射频等离子体增强化学气相沉积tio2 薄膜的情况下, 对同一沉积过程中远离射频输入电极的基片上加脉冲偏压和不加脉冲偏压的情况下的成膜进行了比较, 发现tio2 薄膜的表面形貌?光学特性等都存在着明显的不同.